Metal-Gözenekli Silisyum Direk Hidrojen Pili Üretim Parametrelerinin Geliştirilmesi

Year 2018, Volume: 6 Issue: 3, 544 - 557, 30.09.2018

Çiğdem Oruç , Sevinç Güler Hüseyin Murat Luş

https://doi.org/10.29109/gujsc.383081

Cited By: 1

Abstract

Gözenekli
silisyum (GS) üretim yöntemi olan, elektrokimyasal aşındırma (anadizasyon)
koşullarının, Metal-Gözenekli Silisyum Direk Hidrojen Pili (Metal-GS-DHP)
elektriksel parametrelerine etkisi oldukça yüksektir. Bu çalışmada 4 temel
anodizasyon koşuluyla (zaman, akım yoğunluğu, hidroflorikasit:su  oranı ve Işık), n tipi, (111) yönelimli, tek
kristal silisyum kullanılarak GS üretilmiştir. Anodizasyon zamanı 5-100 dakika,
akım yoğunluğu 5-75 mA/cm²,
HF:deiyonize H₂O oranı 1:1- 1:11 ve ışık şiddeti 1000-7000 lüx
aralıklarında uygulanmıştır .En iyi anodizasyon zamanı 40 dakika ve buna
karşılık gelen Metal-GS-DHP elektriksel pil parametreleri, Voc= 590 mV Isc=30 mA’dir.
En iyi  akım yoğunluğu  20 mA/cm² ve buna karşılık gelen Metal-GS-DHP elektriksel
pil parametreleri, Voc= 700 mV, Isc=15 mA’dir. En iyi 
HF:H₂O oranı 1:3 ve buna karşılık gelen Metal-GS-DHP elektriksel pil
parametreleri, Voc= 420 mV, Isc=10 mA’dir. En iyi ışık şiddeti  4000 lüx ve buna karşılık gelen Metal-GS-DHP
elektriksel pil parametreleri, Voc= 540 mV Isc=18 mA’dir.
Deney sonuçlarından anlaşılacağı üzere Metal-GS-DHP elektriksel pil
parametreleri anodizasyon koşullarına direk bağlıdır.

Keywords

Gözenekli Silisyum, Anodizasyon Koşulları

References

• [1] A. Uhlir, Electrolytic Shaping of Germanium and Silicon. Bell System Tech. J. 35: (1956) 33-347.
• [2] L.T. Canham, Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers. Appl. Phys. Lett. 57:10 (1990) 1046-1048.
• [3] R.L. Smith, S.D. Collins, Porous Silicon Formaton Mechanisms. Journal Appl. Phys. 71:R (1992) 1-21.
• [4] A. Faucaran, F. Paskal-Delnnoy, A. Giani, A. Sackda, P. Combette, A. Boyer, Porous Silicon Layers Used for Gas Sensor Applications. Thin Solid Films. 297: (1997) 317-320.
• [5] L.A. Balagurov, S.C. Bayliss, A.F. Orlov, E.A. Petrova, B. Unal, D.G. Yarkin, Electrical Properties of Metal/Porous Silicon/p-Si Structures Whit Thin Porous Silicon Layer., Journal of Appl. Phys. 90:8 (2001) 4184-4190.
• [6] D. G. Yarkin, (2003), Impedance of Humidity Sensitive Metal/Porous Silicon/n-Si Structures. Sensors and Actuators B. 107: (2003)1-6.
• [7] T.D. Dzhafarov, C. Oruc, ve S. Aydin, Humidity-Voltaic Characteristics of Au Porous Silicon Interfaces. J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 3: (2004) 404-408.
• [8] D. B. Dimitrov, Current-Voltage Characteristics of Porous-Silicon Layers. Physical Review B. 51,3: (1995) 1562-1566.
• [9] P.M.Z. Hasan, V.K. Sajith, M. Shahnawaze Ansari, J. Iqbal, A. Alshahrie, Influence of HF Concantration of Current Density of Characteristic Morphological Features of Mezoporous Silicon. Micropororus And Mezoporous Materials. 249: (2017) 176-190.
• [10] M. Das, P. Nath, D. Sarkar, Influence of Etching Current Density on Microstructural Optical and Electrical Properties of Porous Silicon (PS):n-Si Heterostructure. Superlattices and Microstuctures. 90: (2016) 77-86.
• [11] M. Ramesh, H.S. Nagaraja, Effect of Current Density on Morphological Structural and Optical Properties of Porous Silicon. Materials Today Chemistry. 3: (2017) 10-14.
• [12] F. S. Gill, V. Panvar, H. Gupta, G. S. Kalra, S. Chawla, R. Kumar, R. M. Mehra, Study of Growth Dot and Column inPorous Silicon Samples of Various Thicnesses Prepared at a Costant Current Density. Physica E. 73: (2015) 110-115.
• [13] M. Ramesh, H.S. Nagaraja, The Effect of Ethcing Time on Structural Properties of Porous Siliconat The Room Temperature. Material Today: Proseeding. 3: (2016) 2085-2090.
• [14] A.S. Khaldun, O. Khalid, Z. Hassan, The Effect of Ethcing Time of Porous Silicon Solar Cell Performance. Superlattices and Microstuctures. 50: (2011) 647-658.
• [15] T. D. Dzhafarov, B. Can Omur, C. Oruc. Z.A. Allahverdiev, Hydrojen Sensing Characteristics of Cu-PS-Si Structures. J. Phys. D: Appl. Phys. 35: (2002) 3122-3126.
• [16] C. Oruc, S. Guler, Effect of Au, Ag and Cu Thin Films’ Thickness on The Electrical Parameters of Metal-Porous Silicon Direct Hydrogen Fuel Cell. International Journal of Hydrogen Energy. 39: (2014) 20183-20189.