CdO ve CdO:Ga filmleri ultrasonik sprey piroliz
metodu kullanılarak üretilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve
elektriksel özellikleri sırasıyla, x ışını kırınım deseni (XRD), UV-VIS spektrofotometresi
ve elektriksel ölçümleri ile tanımlanmıştır. XRD desenleri 275 ±
5 °C
sıcaklığında biriktirilen bütün filmlerin yüzey
merkezli kübik polikristal yapıya sahip olduğunu göstermektedir. Ga katkılı
filmlerin optik band aralıkları optik metod ile elde edildi ve Ga katkısının
artması ile 2.50 eV’den 2.66 eV’a değiştiği gözlenmiştir. Bunlara ek olarak,
örneklerin özdirençleri, iletkenlikleri ve I – V karakteristikleri dört nokta
prob ve iki nokta prob metodları ile incelendi. Ga’un uygun katkısı ile CdO’nun
elektriksel özelliklerini geliştirdiği açıkça görülmüştür. En iyi iletkenliğin CdO
filmlerinin %4 ve %8 Ga katkısıyla elde edildi.
Kadmiyum oksit Galyum katkılama Ultrasonik sprey piroliz Optiksel özellikler Elektriksel özellikler
CdO
and CdO:Ga films were produced using
the ultrasonic spray pyrolysis method. The structural, optical and
electrical properties of produced films were defined by
x-ray diffraction pattern (XRD), UV–VIS spectrophotometer and electrical
measurements, respectively. The XRD patterns show that all the
films deposited at 275 ±
5 °C are in
face center cubic polycrystalline structure. The optic band gaps of Ga doped
films were obtained with the optical method and observed to change from 2.50 to
2.66 eV with the increase of Ga doping. Additionally, the resistivity,
conductivity and I–V characteristics of the samples are investigated with four
point and two point probe methods. It is clearly seen that the electrical
properties of CdO have improved with the appropriate Ga doping. The best
conductivity was obtained with 4% and 8% Ga doping of CdO films.
Cadmium oxide Gallium doping Ultrasonic spray pyrolysis Optical properties Electrical properties
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Articles |
Authors | |
Publication Date | April 1, 2019 |
Published in Issue | Year 2019 Volume: 23 Issue: 1 |
e-ISSN :1308-6529
Linking ISSN (ISSN-L): 1300-7688
All published articles in the journal can be accessed free of charge and are open access under the Creative Commons CC BY-NC (Attribution-NonCommercial) license. All authors and other journal users are deemed to have accepted this situation. Click here to access detailed information about the CC BY-NC license.