BibTex RIS Kaynak Göster

Self-Consistent Calculation of the Potential at AlGaAs/GaAs Heterostructures

Yıl 2014, , 15 - 24, 03.02.2015

Selman Mirioğlu Uğur Erkarslan , Görkem Oylumluoğlu

https://doi.org/10.17100/nevbiltek.210936

Öz

In this work, energy bant dispersion of AlGaAs/GaAs heterostructure, one of the III-V group elements of semiconductors is obtained by solving the Schrödinger and Poisson equations self-consistently for the modeling of double (bilayer) 2DEGs placed parallel. We investigate the electronic properties of AlGaAs/GaAs heterostructures as a function of the doping level in a condition where we obtain several different donor exist on one side and on both sides of the 2DEG. Besides, changes in the energy bant dispersion due to different Al concentrations are systematically investigated for these systems

Anahtar Kelimeler

AlGaAs/GaAs heterostructure 2DEG Bilayer system

Kaynakça

  • Türkoğlu A., “GaAs-AlxGa1-xAs Heteroyapı ve Çoklu Kuantum Kuyu IR Fotodedektörün Elektro-optik Özelliklerinin İncelenmesi”, Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Doktora tezi, 158, Sivas, 2007.
  • Stradling R.A., “The Electronic Properties and Applications of Quantum Wells and Superlattices of III-V Narrow Gap Semiconductors”, Brazilian J. Phys., 26, (1), 7-20, 1996
  • Chalker J.T., Gefen Y., Veillette M.Y., “Decoherence and Interactions in an Electronic March- Zehnder Interferometer”, Phys. Rev. B, 76, (8), 1-11, 2007
  • Mese A.I., Bilekkaya A., Arslan S., Aktas S., Siddiki A., “Investigation of The Coupling Asymmetries at Double-Slit Interference Experiment Samples” J. Phys. A : Math. Theor., 43, (35), 1-8, 2010
  • Ihnatsenka S., Zozoulenko I.V., “Interacting Electrons in The Aharonov-Bohm Interferometer”, Physical Review B, 77, (23), 1-9, 2008
  • Morgan C.G., Kratzer P., Scheffler M., “Arsenic Dimer Dynamics During MBE Growth: Theoretical Evidence for a Novel Chemisorption State of As2 Molecules on GaAs Surfaces” Phys. Rev. Lett., 82, (24), 4886-4889, 1999
  • Erol A., “Yüzey Işıması Yapan Düşük Boyutlu Yapılarda Bragg Yansıma Olaylarının İncelenmesi”, İstanbul Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Doktora tezi, 138, İstanbul, 2002.
  • Picciotto R.de, Stormer H.L., Yacoby A., Pfeiffer L.N., Baldwin K.W., West K.W., “2D-1D Coupling in Cleaved Edge Overgrowth”, Phys. Rev. Lett,. 85, (8), 1730-1733, 2000
  • Picciotto R.de, Stormer H.L., Yacoby A., Pfeiffer L.N., Baldwin K.W., West K.W., “Transport in Cleaved-Edge Overgrowth Wires”, Physica E, 9, (1), 17-21, 2011
  • Grayson M., Roth S.F., Xiang Y., Fischer, F, Schuh D., Bichler M., “Four-Point Measurements of n- and p-type Two-Dimensional Systems Fabricated with Cleaved-Edge Overgrowth”, Appl. Phys. Lett., 87, (21), 1-2, 2005
  • Erkarslan U., Oylumluoglu G., Grayson M., Siddiki A., “The visibility of IQHE at sharp edges: experimental proposal based on interactions and edge electrostatics”, New Journal of Physics, 14, 023015-023020, 2012
  • Cicek E., Mese A.I, Ulas M., Siddiki A., “Spatial Distribution of the Incompressible Strips at AB Interferometer”, Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 42, (4), 1066-1068, 2010
  • Ando T., Fowler A., Stern F., “Electronic Properties of Two-Dimensional Systems”, Rev. Mod. Phys, 54, (2), 437-672, 1982
  • Tsui D. C., Störmer H.L., Gossard A.C., “Zero-Resistance State of Two-Dimensional Electrons in a Quantizing Magnetic Field”, Phys. Rev. B, 25, (2), 1405-1407, 1982
  • Matveev K.A., “Coulomb Blockade at Almost Perfect Transmission”, Phys. Rev. B, 51, (3), 1743-1751, 1995
  • Adachi S., “Properties of Aluminium Gallium Arsenide”, INSPEC, London, 341-362, 1993
  • Siddiki A., “Self-Consistent Coulomb Picture of an Electron-Electron Bilayer System”, Phys. Rev. B, 75, (15), 1-12, 2007

AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı

Yıl 2014, , 15 - 24, 03.02.2015

Selman Mirioğlu Uğur Erkarslan , Görkem Oylumluoğlu

https://doi.org/10.17100/nevbiltek.210936

Öz

Bu çalışmada, birbirine paralel ikili, iki boyutlu elektron gazını (2BEG) modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji bant dağılımı Schrödinger ve Poissson denklemlerinin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG’in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Ayrıca; enerji bant dağılımının Al konsantrasyonuna bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.

Anahtar Kelimeler

AlGaAs/GaAs heteroyapısı 2BEG iki kuyulu sistem

Kaynakça

  • Türkoğlu A., “GaAs-AlxGa1-xAs Heteroyapı ve Çoklu Kuantum Kuyu IR Fotodedektörün Elektro-optik Özelliklerinin İncelenmesi”, Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Doktora tezi, 158, Sivas, 2007.
  • Stradling R.A., “The Electronic Properties and Applications of Quantum Wells and Superlattices of III-V Narrow Gap Semiconductors”, Brazilian J. Phys., 26, (1), 7-20, 1996
  • Chalker J.T., Gefen Y., Veillette M.Y., “Decoherence and Interactions in an Electronic March- Zehnder Interferometer”, Phys. Rev. B, 76, (8), 1-11, 2007
  • Mese A.I., Bilekkaya A., Arslan S., Aktas S., Siddiki A., “Investigation of The Coupling Asymmetries at Double-Slit Interference Experiment Samples” J. Phys. A : Math. Theor., 43, (35), 1-8, 2010
  • Ihnatsenka S., Zozoulenko I.V., “Interacting Electrons in The Aharonov-Bohm Interferometer”, Physical Review B, 77, (23), 1-9, 2008
  • Morgan C.G., Kratzer P., Scheffler M., “Arsenic Dimer Dynamics During MBE Growth: Theoretical Evidence for a Novel Chemisorption State of As2 Molecules on GaAs Surfaces” Phys. Rev. Lett., 82, (24), 4886-4889, 1999
  • Erol A., “Yüzey Işıması Yapan Düşük Boyutlu Yapılarda Bragg Yansıma Olaylarının İncelenmesi”, İstanbul Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Doktora tezi, 138, İstanbul, 2002.
  • Picciotto R.de, Stormer H.L., Yacoby A., Pfeiffer L.N., Baldwin K.W., West K.W., “2D-1D Coupling in Cleaved Edge Overgrowth”, Phys. Rev. Lett,. 85, (8), 1730-1733, 2000
  • Picciotto R.de, Stormer H.L., Yacoby A., Pfeiffer L.N., Baldwin K.W., West K.W., “Transport in Cleaved-Edge Overgrowth Wires”, Physica E, 9, (1), 17-21, 2011
  • Grayson M., Roth S.F., Xiang Y., Fischer, F, Schuh D., Bichler M., “Four-Point Measurements of n- and p-type Two-Dimensional Systems Fabricated with Cleaved-Edge Overgrowth”, Appl. Phys. Lett., 87, (21), 1-2, 2005
  • Erkarslan U., Oylumluoglu G., Grayson M., Siddiki A., “The visibility of IQHE at sharp edges: experimental proposal based on interactions and edge electrostatics”, New Journal of Physics, 14, 023015-023020, 2012
  • Cicek E., Mese A.I, Ulas M., Siddiki A., “Spatial Distribution of the Incompressible Strips at AB Interferometer”, Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 42, (4), 1066-1068, 2010
  • Ando T., Fowler A., Stern F., “Electronic Properties of Two-Dimensional Systems”, Rev. Mod. Phys, 54, (2), 437-672, 1982
  • Tsui D. C., Störmer H.L., Gossard A.C., “Zero-Resistance State of Two-Dimensional Electrons in a Quantizing Magnetic Field”, Phys. Rev. B, 25, (2), 1405-1407, 1982
  • Matveev K.A., “Coulomb Blockade at Almost Perfect Transmission”, Phys. Rev. B, 51, (3), 1743-1751, 1995
  • Adachi S., “Properties of Aluminium Gallium Arsenide”, INSPEC, London, 341-362, 1993
  • Siddiki A., “Self-Consistent Coulomb Picture of an Electron-Electron Bilayer System”, Phys. Rev. B, 75, (15), 1-12, 2007
Toplam 17 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Konular Mühendislik
Bölüm Fizik
Yazarlar

Selman Mirioğlu Bu kişi benim

Uğur Erkarslan

Görkem Oylumluoğlu

Yayımlanma Tarihi 3 Şubat 2015
Yayımlandığı Sayı Yıl 2014

Kaynak Göster

APA Mirioğlu, S., Erkarslan, U., & Oylumluoğlu, G. (2015). AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı. Nevşehir Bilim Ve Teknoloji Dergisi, 3(2), 15-24. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.210936
AMA Mirioğlu S, Erkarslan U, Oylumluoğlu G. AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. Şubat 2015;3(2):15-24. doi:10.17100/nevbiltek.210936
Chicago Mirioğlu, Selman, Uğur Erkarslan, ve Görkem Oylumluoğlu. “AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı”. Nevşehir Bilim Ve Teknoloji Dergisi 3, sy. 2 (Şubat 2015): 15-24. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.210936.
EndNote Mirioğlu S, Erkarslan U, Oylumluoğlu G (01 Şubat 2015) AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi 3 2 15–24.
IEEE S. Mirioğlu, U. Erkarslan, ve G. Oylumluoğlu, “AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı”, Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi, c. 3, sy. 2, ss. 15–24, 2015, doi: 10.17100/nevbiltek.210936.
ISNAD Mirioğlu, Selman vd. “AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı”. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi 3/2 (Şubat 2015), 15-24. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.210936.
JAMA Mirioğlu S, Erkarslan U, Oylumluoğlu G. AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2015;3:15–24.
MLA Mirioğlu, Selman vd. “AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı”. Nevşehir Bilim Ve Teknoloji Dergisi, c. 3, sy. 2, 2015, ss. 15-24, doi:10.17100/nevbiltek.210936.
Vancouver Mirioğlu S, Erkarslan U, Oylumluoğlu G. AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2015;3(2):15-24.

Dergimizin tarandığı indeksler


12300          20980     2097822081